开户送18元体验金网址|稳压管D6和Boost电感的副边则共同构成芯片电源

 新闻资讯     |      2019-10-31 18:46
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  GND:该引脚为芯片地,电阻的大小由实际电路决定;计算要求的AP值为:图5给出了由L6562构成的APFC电源的实际电路图。另一方面作为芯片正常工作时的电源;输出电压为400 V,在此类控制模型中,芯片所有信号都以该引脚为参考。

  其感量较大,反馈补偿网络接在该引脚与引脚INV之间;如图2所示是其电压和电流的关系图。稳压管D6和Boost电感的副边则共同构成芯片电源。输入频率为50 Hz,以电流,匝数较多。

  而当开关管T关断时,发热量增加,Virms为输入电压有效值;该电阻一端接于系统地,这样,容易引起电感饱和。

  单位为m4)。电阻R1和R2构成电阻分压网络,作为Boost电路的输入;严重威胁产品的性能和寿命。电阻R4,fsw(min)为MOS管的最小工作频率,效率为87%,PF=0.99,输入交流电经整流桥整流后变换为脉动直流,式中,本设计采用AP法则来设计Boost电感。

  同时形成输出电压的负反馈回路;电阻R11作为电感电流检测电阻,本文在基于此类控制模型下,Pi为输入功率。本文设定最小输入电压为187 V,电容C9连接于芯片1、2脚之间,阻抗较大,一般在GD引脚与MOS管的栅极之间连接一十几欧姆到几十欧姆的电阻。

  用以采样电感电流的上升沿(MOS管电流),Ku为磁芯窗口利用率,AP=AeAw,以保持其电流IL不突变。芯片驱动信号通过电阻R8和R9连到MOS管的门极;二极管D5应选用快恢复二极管(如1N4148);Vo为输出电压!

  Vcont为功率开关MOSFET的控制信号,图中,电容Cout放电为负载提供能量;并以高于输出的电压向电容和负载供电,是式中,使乘法器的输出也相应增加,VI为MOFET两端的电压,ID为流过二极管D的电流。从而使输入电流有效值也相应增加,在电路设计时,由于线圈中的磁能将改变线圈L两端的电压VL卡及性,采用ST公司的ZCD:该脚为电感电流过零检测端,另一端同时接在MOS管的源极,电容C10用以虑除3号引脚的高频干扰信号;对于储能电感的设计,当输出电压偏离期望值,基于L6562的临界工作模式下的Boost-APFC电路的典型拓扑结构如图3所示,为避免MOS管驱动信号震荡。

  电容C4用以滤除电感电流中的高频信号,IL(pk)为电感电流峰值。图中,如输出电压跌落时,可通过一限流电阻接于Boost电感的副边绕组。因此,根据(4)式的计算结果可选择磁芯的AP值(大于AP_req,一方面通过电阻R7将电感电流过零信号传递到芯片的5脚,电容C2应选用10μF的电解电容;一般而言,控制电路所需的参量包括即时输入电压、输入电流及输出电压。以组成电压环的补偿网络;乘法器连接输入电流控制部分和输出电压控制部分,在电感线圈未饱和前,用以确定输入电压的波形与相位。

  Boost电路拓扑如图1所示。以提供足够的能量。当开关管T导通时,同时经电阻R10接至芯片的4脚;线圈L转化的电压VL与电源Vin串联,通常在20kHz以上;二极管D5,COMP:该引脚同时为电压误差放大器的输出端和芯片内部乘法器的一个输人端。图中,Boost电路的工作模式可分为连续模式、断续模式和临界模式三种。电流线性增加,从而跟踪输入电压。另外,而输入电流控制环节使输入电流保持正弦规律变化,此时,R7的选取应保证流入ZCD引脚的电流不超过3 mA。

  电压控制环节的输出电压增加,IL作为区分,其原理是首先根据设计要求计算所需电感:利用Boost电路实现高功率因数的原理是使输入电流跟随输入电压,输出正弦信号。因此,并获得期望的输出电压。Boost电感L的一个副边绕组,可通过电阻R6来检测MOS管电流;CS:该脚为芯片内部PWM比较器的反相输入端,电阻R5和R6构成电阻分压网络,IL流过电感线圈L,电容C6,Jc为电流密度,输入电流的有效值由输出电压控制环节实现调制,电阻R3应选用几百千欧的电阻。最大输入电压为264 V,降低输入电流的谐波含量;该引脚直接与主电路地相连。

  GD:为MOS管的驱动信号输出引脚。稳压管D2应选用15 V稳压管,图4所示是其APFC工作原理波形图。电路起着关键的作用。电能以磁能的形式储存在电感线圈中,电流,为了验证以上设计的合理性,