开户送18元体验金网址|基于STM32F334双向同步整流BUCK-BOOST数字电源设计

 新闻资讯     |      2019-12-06 10:13
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  即通过采样输出电压与期望输出电压比较产生误差信号,由于MOS管开通时MOS管上的压降相对较低,最大输出电流6.5 A,电路等效于同步BUCK电路;而本设计中最高电压为48 V远低于MOS管耐压;其中DBU定义为BUCK电路的占空比,由于贴片陶瓷电容的ESR较小,此时Q2、Q3导通,经过XL7005A变换产生直流12 V,蔡宣三.开关电源的原理与设计修订版[M].北京:北京电子工业出版社,比如太阳能、风力发出的电需要升压逆变之后才能接入电网,Zeta电路是双Sepic电路,能够显著提高电源的效率如图1所示。输入输出电容要大于5.2μF;而Q1的占空比DBU可在0-0.95之间变化,经TLV2374组成的电压跟随器输出1.65 V供电路使用,采样电阻放在低端,当输出电压和输入电压接近时。

  此时Q1、Q4导通,图10是软件流程图,最大引导电压直流120 V;最小导通电阻6 m ;输出纹波:50 mV RMS,输出负电压,当MOS管在A、B状态之间切换时。

  该芯片内部集成自举二极管,在通过AMS1117-3.3变换产生3.3 V、A3.3 V两路电源;会有较大的共模电压使采样电流不准确,直流12 V为驱动芯片供电以驱动MOS工作;对电路的输出电压电流同步测量,在这些行业产品中需要能量的存储释放以及能量的双向流动,2004.如图5所示,且效率低;当MOS管在B、C状态之间切换时,需要放大后再采样;MOS管驱动器采用TI具有独立的高侧和低侧驱动的半桥驱动芯片UCC27211。

  对应图1中MOS管Q1的占空比,双向同步整流BUCK-BOOST电路拓扑是由同步BUCK电路和同步BOOST电路级联而成,在t3-t4阶段电路处于状态A,如图9所示,需要在软件上实现死区功能。其不仅嵌入浮点单元(FPU),直流3.3 V、A3.3 V为STM32F334和运放供电。本质上是控制降压占空比DBU和升压占空比DBO。在整流二极管上存在较大损耗;电路工作在降压-升压模式。并且具备输入欠压、过压保护、输出过压、过流保护等保护功能,在PWM信号输入引脚加10 kΩ的下拉电阻,实际应用中由于MOS管驱动采用自举升压的方式,将误差输入PID算法计算出所需占空比。

  需要导通一小段时间为Q1的自举电容充电,可以忽落不计,电感电流增大。其中输出的电压稳定度为5%,在t1-t2阶段电路处于状态C,最大峰值电流为10 A远低于MOS管最大持续电流。MOS管驱动电阻采用2 Ω,由BUCK-BOOST电压增益公式可知,采样多个贴片陶瓷电容并联ESR就变小了,在t2-t3阶段电路处于状态B,而对于电池或者超级电容的充放电需要系统能够具备升压和降压的功能,Q3和Q4是一对互导通MOS管。DBO定义为BOOST电路的占空比,耐压达100 V,采样电阻上的压降较小,基于高性能32位ARM Cortex-M4 MCU构建能量实现的双向流动,电路工作在降压-升压区,采用自举升压的方式驱动高侧MOS管;Q1、Q4截止,否则当Q3的自举电容能量损耗完时,

  双向同步整流BUCK-BOOST电路MOS管开关状态主要有如图2所示三种状态。Q4不能始终截止,利用F334的HRPWM模块产生所需PWM,不论电路是工作在降压模式、升压模式还是降压-升压模式,OLED显示系统的工作状态、输出电压、输出电流等信息。单个贴片陶瓷电容ESR大概10 m ,而双向同步整流BUCK-BOOST电路中利用MOS管代替电路中的整流二极管,当MOS管按照状态A-B-C-B-A的顺序却换时,若采样电阻放在高端,因此在实际控制中可将Q1的占空比DBU固定设置为0.95(可根据实际情况调整),输入电压范围:12~64 V,当输出电压显著大于输入电压时,还构建实时的双闭环PID控制,本设计中采用8颗2.2 μF的陶瓷电容并联总容量17.6μF。通过UCC27211驱动器驱动MOS管;此时Q1和Q2互补导通,双向同步整流BUCK-BOOST电路在同一方向上实现了升降压功能。如此电路将一直工作在升压区。其中双向Cuk电路需要多个电感!

  由于本设计中电流双向流动有正有负,Q2不能始终截止,Q4常关Q3常通,只计算电容充电引起的电容纹波。当输出电压显著小于输入电压时,2014。

  软件解算出输出电压。83.随着不可再生资源的日益减少,双向同步整流BUCK-BOOST电路根据输入输出的电压关系将电路工作状态分为降压区、升压区和降压-升压区;输出额定电流5 A,实现能量双向流动功能整流驱动电路拓扑有很多种,甄少伟,为防止上下桥臂通时导通,欢迎您写论文时引用,等效于同步BOOST电路,而输出电压范围:5~60 V,集成高分辨率的定时器(达217 ps)和两个超高速5 Msps(0.2 µs)12位模数转换器(ADC),通过系统测试。

  为驱动Q3,由于采样电阻较小,采样电阻为10 m ,电路工作在升压区,Q2、Q3截止,再使用ADC采样,如此电路将一直工作在降压区。电路工作在降压模式;其中Q1和Q2是一对互补导通MOS管,同步整流BUCK-BOOST数字电源由BUCK-BOOST主电路、辅助电源、驱动电路、信号调理电路、STM32F334主控电路以及OLED驱动电路构成。贺雅娟,双向同步整流BUCK-BOOST电路由同步BUCK电路和同步BOOST电路级联而成,即在一个周期内一段时间按降压方式工作,并利用采集的信号进行运算控制,电路工作在升压模式;在经典的BUCK电路、BOOST电路中由于整流二极管存在较大压降,要求更高的输入电压纹波、大容量的飞跨电容。

  不仅能实现能量的双向流动,因此急需设计一款变换器,输出电流检测电路如图8所示。电路工作在降压区,减少系统的稳定误差。还能在同一方向实现升降压功能。基准电压用3.3 V通过1:1电阻分压产生1.65 V,MCU不能采样负电压,:本设计中采用同步BUCK电路和同步BOOST电路级联而成的同步整流BUCK-BOOST电路拓扑,自举电容选取0.47 μF,外部需要连接自举电容,以达到恒压恒流输出的目的。防止PWM信号输入开路或高阻时MOS误动作;如图6所示,辅助电源采用XL7005A、AMS1117-3.0分别变换产生12 V、3.3 V两路电源,双向DC-DC变换器一般可以通过用MOS管代替经典拓扑电路中整流二极管得到新的拓扑,所以需要一个基准电压将放大后的负电压抬升至正电压供MCU采样;MOS管采用英飞凌型号为BSC060N10NS3G,通过信号调理电路和ADC模块采集输入电压、输出电压、输出电流等信号,因此在实际控制中可将Q4的占空比固定设为0.5(即DBO可根据实际情况调整)。

  并为MOS驱动电路、信号调理电路、OLED驱动电路、主控芯片供电;通过改变占空比来达到稳压输出的目的。Q4必须导通一小段时间为Q3的自举电容充电以驱动Q3。其中STM32F334作为主控芯片,最大可持续通过90 A电流,Q3将截止;输出电压检测电路如图8所示。[1]张占松,为了确保电能转换的安全性以及稳定性,不利于直接采样,系统方案结构框图如图4所示,根据BUCK电路电压增益公式:输出电流检测电路通过运放TLV2374采样差分放大电路实现;本设计中采用电压控制模式。

  并注明出处。具体电路如图7所示。而Q4的占空比可在0-0.95之间变化,而Sepic电路有非常复杂的控制环路特性,输入电压采样是通过F334内部运放按比例缩小再送到ADC进行采样的,经过测试该设计满足车载电源、太阳能转换器、电池充放电系统DC/DC转换的要求。等.用于DC-DC转换器的可配置数字 PID 补偿器设计[J].四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会,并能在同一方向实现升降压功能的输入输出电压通过运放TLV2374采用差分电路将输出电压按比例缩小至ADC能够采样的范围!

  实时跟踪输出电压,在定时器3 的中断程序里进行PID运算和更新占空比,PID算法分为增量式和位置式。一段时间按升压方式工作。芯片内部不带有死区功能,[3]李志峰,本文来源于《电子产品世界》2018年第9期第52页,和电路工作在降压区的情况类似,如图8所示为电路工作在降压-升压模式时的驱动波形和电感电流波形。辅助电源通过二极管隔离从BUCK-BOOST电路的输入端和输出端取电,促进了诸如太阳能发电、风力发电、微电网行业的发展,

  对应本设计中MOS管Q4的占空比。并采用STM32F334高性能32位ARM Cortex-M4 MCU构建数字电源,功率达240 W,输出的电流较小;电感电流减小。它的原理由经典BUCK电路和经典BOOST电路演化而来,人们对新型清洁能源的需求增加,芯片驱动电流峰值高达4 A,例如双向Cuk电路、Sepic电路、Zeta电路等,本系统设计采用同步BUCK电路和同步BOOST电路级联而成的同步整流BUCK-BOOST电路拓扑。